2016-12-02

電子線応用技術研究会：第9回研究会

日時

2016年12月2日(金) 13:10-17:00

場所

日立ハイテクノロジーズ　２階会議室
東京都港区西新橋1丁目24番14号 （東京メトロ銀座線「虎ノ門」から徒歩５分）

参加費

無料

参加申し込み

参加申し込み のページにてお申し込みください（11月22日(火) 17:00 締め切り）。

プログラム

表示項目： 和文題名、 和文著者、 和文所属、 英文題名、 英文著者、 英文所属　

	会長挨拶 中前 幸治 ナノテスティング学会会長（大阪大学）	13:10-13:20
(1)	「GOS(Graphene-Oxide-Semiconductor) 型電子放出素子の電子 放出特性」 村上 勝久 産総研	13:20-14:10
(2)	「半導体光陰極を用いた次世代透過電子顕微鏡の開発」 桑原 真人 名古屋大学	14:10-15:00
	休憩	15:00-15:20
(3)	「スピン偏極走査電子顕微鏡による磁気デバイス評価」 孝橋 照生 日立製作所	15:20-16:10
(4)	「液体中・気体中観察の歴史と現状」 須賀 三雄 日本電子	16:10-17:00

懇親会

• 開催日時：2016年12月2日(金) 17:15-19:00
• 場所：桜の舞 虎ノ門店（会場より徒歩2分）
• 参加費：4,480円（予定）
• 参加申込：参加申し込み の際に、懇親会「参加」をご選択ください。

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